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1 | MTD6N10 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE, DPAK FOR SURFACE MOUNT OR INSERTION MOUNT | 171K | ||
2 | MTD6N10E | TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.400 OHM | 216K |
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