| 序号 | 型号 | 描述 | 大小 | 厂家Logo | 下载 |
|---|
| 1 | GT30J121 | TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT | 302K |
|
 |
| 2 | GT30J121 | TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT | 302K |
|
|
| 3 | GT30J121_06 | Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | 186K |
|
|
总页数：1 每页记录数：30 当前页数：1 首页 上一页 1 下一页 尾页
