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1	GT80J101	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)	234K
2	GT80J101A	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 80A I(C) \| TO-247VAR	221K
3	GT80J101B	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT	70K

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