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1
MTD6N10
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE, DPAK FOR SURFACE MOUNT OR INSERTION MOUNT
171K
2
MTD6N10
E
TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.400 OHM
216K
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