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1
GT80J101
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)
234K
2
GT80J101
A
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 80A I(C) | TO-247VAR
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3
GT80J101
B
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
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